您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > N字母型号搜索 > N字母第121页 > NIMD6302R2

NIMD6302R2中文资料

NIMD6302R2图片

NIMD6302R2外观图

  • 大小:97.02KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 16 V
  • 漏极连续电流:6.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.05 Ohms
  • 配置:Dual
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:56.5 ns, 2.7 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):19.8 S
  • 功率耗散:1.3 W
  • 上升时间:56.5 ns, 2.7 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:35.9 ns, 66.5 ns

NIMD6302R2供应商

更新时间:2023-02-03 04:32:48
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购NIMD6302R2进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的NIMD6302R2信息由会员自行提供,NIMD6302R2内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买NIMD6302R2产品风险,建议您在购买NIMD6302R2相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。